紫外LED——市场爆发的前夜

      根据水俣公约,2020年全球128个缔约国将全面禁止传统紫外汞灯的使用。而基于AlN衬底的UVC-LED是目前替代汞激发紫外光源的唯一固态光源解决方案,其优点包括(1)高效:物理杀菌,不受化学平衡条件影响,单位面积的光强超过汞灯的1000倍以上;(2)环保:ALN材料无毒无害,紫外LED及其封装工艺也不含任何有毒物质;(3)节能:低压、无预热时间,无热辐射,同等输出功率下,耗电量仅为汞灯的10%,维护成本几乎为0;(4)可靠:使用寿命20000小时以上,是传统汞灯的10倍,且使用寿命几乎不受开关次数影响。

      据业内人士预测,全球仅深紫外LED杀菌消毒应用领域的潜在市场规模已超过5000亿美元,此外深紫外LED在生物医疗、药物研发、防伪鉴定、空气净化、高密度存储、紫外激光、军事(紫外探测、紫外保密通信)等方面均有广泛应用。知名咨询机构Yole Development的研究分析表明:UV-LED领域2012-2018年复合增长超过43%;UVC-LED市场未来5年规模增长100-250倍。 

因此,紫外LED已成为业内厂商争相关注的下一个“新蓝海”市场,市场当前正处于爆发的前夜,而爆发的瓶颈则在于上游氮化铝衬底材料端。目前全球仅有两家企业有能力小批量制造1英寸/1.5英寸/2英寸衬底材料,售价极其昂贵,超过黄金的60-100倍。即将引爆的对AlN晶圆材料的巨大需求与材料本身的高技术壁垒、高制造/采购成本和低供应量形成了巨大矛盾。

      奥趋光电自主设计并掌握了具备完整知识产权的第三代宽禁带半导体大尺寸氮化铝晶圆衬底材料的全套制程工艺与技术,并同时研发了全自动关键设备、工艺、生产全流程和标准,从而具备了高质量大尺寸氮化铝晶圆衬底材料的批量生产条件,成为了推动市场爆发的关键上游衬底材料供应商和技术开发商。


5G通信——新一代基础生产力

      5G是开启工业数字化和物联网新时代的新一代基础生产力。世界各国把抢占5G通信技术的至高点作为国家发展的重要战略,不管是在关键元器件、上游材料制备还是在网络部署等方面都开始积极布局,抢先发展先机。

      与传统4G等通信技术相比,5G通信技术接入工作器件需要满足全频谱接入、高频段乃至毫米波传输、超高宽带传输3大基础性能要求,因此对于器件、天线、光线传输和封装等材料也要求能够实现大规模集成化、高频化和高频谱效率。封装模板是芯片封装体的重要组成材料,AlN陶瓷材料因其低介质损耗性、高化学稳定性、高耐腐蚀性、气密性好、热导率高及热膨胀系数匹配等特点,是作为芯片封装模板的理想材料。

      同时,因为射频前端模块 (FEM) 将需要处理更大数量的高频 5G 信号,为了抑制外界干扰,提供更优通信体验,高频滤波器的需求也会迎来爆发式的增长。制备高频滤波器的关键在于制备材料的压电特性,而AlN薄膜材料由于其压电特性好,声速高,已成为5G高频滤波器的理想材料。

      因此,随着5G 时代的到来,AlN材料也将迎来崭新的应用领域和广阔的发展前景。