行业新闻
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行业 | Hexatech获美国国防部1020万美元的4英寸AlN单晶衬底开发合同
HexaTech公司宣布与美国国防部国防高级研究计划局（DARPA）签署了一项为期多年的合同，作为该机构最近宣布的超宽带隙半导体（UWBGS）计划的一部分。UWBGS计划的目标是开发实现实用超宽带隙电...
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行业 | 日本旭化成在AlN单晶衬底上实现WPE 2.4%、寿命超过11000小时的Far UVC-LED（231 nm）
本文系统地从实验和模拟分析了AlN单晶衬底上Far UVC-LED的效率和寿命与波长的依赖关系，并观察到效率与发射波长之间存在正相关关系。在波长227 nm、230 nm、233 nm和235 nm下...
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行业 | 阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率
超宽带隙氮化铝（AlN）作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而，AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中，我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工...
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行业 | 康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件
GaN的宽带隙特性和高饱和速度对于提升射频（RF）晶体管的输出功率密度（Pout）至关重要，这使得雷达和通信系统的覆盖范围得以增加。然而，目前GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的输出功率密度进一步...
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行业 | 德国研究集群宣布AlN技术取得重大突破
使用这些晶圆制备的首批晶体管已经显示出极具前景的电气性能，例如高达2200 V的击穿电压和优于SiC基/GaN基的功率开关器件的功率密度。与现有的硅器件相比，在AlN晶圆上成功制备出的AlN/GaN ...
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行业 | 康奈尔大学在单晶AlN衬底上实现HEMT器件创纪录高电子迁移率和低片电阻
为了提高量子阱高电子迁移率晶体管（QW HEMTs）中的电子迁移率，我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明，量子阱中高电场引起的界面...
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行业 | 密歇根大学/加州大学采用等离子辅助MBE实现N极性AlN中可控Si掺杂
本文展示了采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件，我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而，我们的研...
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行业 | SiC/GaN的强劲对手 — 新一代AlN基晶体管
在过去的十年中，半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经超越了硅，占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用...
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行业 | 美国Crystal IS 4英寸单晶AlN衬底荣获2024年年度半导体电子最高材料奖
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的...
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行业 | 德国在单晶AlN衬底上实现耐压2200 V、功率密度达1.17 GW/cm2的AlN基GaN沟道HEMT器件
我们在AlN衬底上，采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT，在VGS = 1 V时，实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压（V...
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