行业新闻

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行业 | AlN掺杂技术及其在功率电子与光电领域应用展望

新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3,电阻率为0.045...

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行业 | 康乃尔大学在AlN单晶衬底上实现理想因子达1.63的p型AlGaN层及超宽禁带异质结 p-n结二极管

本文展示了在AlN单晶衬底上,利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V,室温下最小理想因子为η≈1...

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行业 | 挑战功率器件极限:可耐极端温度的AlN基功率器件

具有AlN通道层的二极管和晶体管具有高击穿电压,并能在极高的温度下工作

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行业 | 挑战极限:SiC/Ga2O3/AlN基功率器件最新进展

在硅的所有替代品中,可以说AlN(氮化铝)具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙,它的临界电场远高于所有竞争对手,这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。

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行业 | 日本化工巨头旭化成基于AlN单晶衬底实现低于230 nm、长寿命mW级Far UVC-LED

我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm(Far-UVC)发光二极管(LED)。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入,在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率(2...

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行业 | 法国基于单晶AlN实现高可靠性Al0.23Ga0.77N沟道型HEFT耐高压电子器件

AlxGa1-xN异质结场效应晶体管(HFET)一直是高压电力电子器件领域的研究焦点,凭借其可以通过改变铝组分实现可调节的高临界击穿场强,从而具备了超越前代产品的潜力。在这项工作中,我们展示了在体Al...

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(一)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(二)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 天野浩团队通过极化掺杂实现接近理想因子的AlN基垂直p-n结二极管

本文报道了在AlN单晶衬底上制备出近乎理想品质因子的垂直AlxGa1−xN(0.7≤ x <1.0)p-n结二极管,p-n结的p型层和n型层均采用分布式极化掺杂(DPD),而不是传统的杂质掺杂,克服了...

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行业 | 南卡罗来纳大学/加州大学基于AlN单晶衬底实现创纪录品质因子AlGaN异质结

我们报道了在单晶AlN衬底上实现了高质量n-Al0.87Ga0.13N-A0.64Ga0.36N异质结构。对于这些赝晶异质结构,我们使用高分辨率的X射线和X射线形貌分析其穿透位错密度为7×103 cm...

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