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国庆共欢腾，欢歌颂华章
奥趋光电祝您中秋快乐
2026年8月26至28日，PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会，在深圳国际会展中心成功举办。作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asi...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣...
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联...
国庆共欢腾，欢歌颂华章
奥趋光电祝您中秋快乐
2026年8月26至28日，PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会，在深圳国际会展中心成功举办。作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asia Shenzhen 2026打破展会单一展示边界，联动海内外龙头企业、重点高校...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣誉。
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
下一代高功率射频（RF）器件日益需要能够在高频下高效、高增益工作的晶体管。高铝组分的超宽禁带（UWBG）AlGaN 合金已在实现此类高频射频技术方面展现出巨大潜力。
这家英国先进材料公司将推出其2英寸单晶AlN晶圆平台，并通过行业联动来锚定产品规格和认证要求。
HexaTech宣称100mm氮化铝单晶衬底产品即将商业化供应。
本文报道了一种采用等离子体辅助分子束外延（PAMBE）生长的 N 极性 Al₀.₅₅Ga₀.₄₅N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件在高温下表现出稳定的直流与射频性能。在 300°C 时，器件呈现出改善的电学特性，包括 246 Ω·mm 的沟道接触电阻、37.4 mA/...
我们报道了通过分子束外延在AlN单晶衬底上生长的高电流密度AlGaN pn二极管。AlGaN层在n型和p型区域均采用70%至95%之间线性渐变的Al组分。无掺杂pn结耗尽区由杂质掺杂的n型和p型接触层引出。
我们首次展示了AlN单晶衬底上栅长 220 nm 的AlGaN/GaN/AlN HEMT 在 20 GHz 及以上的 K/Ka 波段连续波（CW）负载牵引（LP）测量结果。与生长在 SiC 衬底上的同类外延结构相比，AlN单晶衬底上的 AlN 缓冲层位错密度显著降低。器件关态漏电...
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