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6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半...
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室开展访问交流与合作洽谈。
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国电子科技集团第十三研究所冯志红首席...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行，近400人国内外专业人员报名参会。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
5月8日，杭州市临平区委常委、统战部部长，临平国家级经济技术开发区党工委书记计子法同志一行莅临云墨智谷园区及奥趋光电，进行走访服务和考察调研。杭州云墨智谷新材料科技发展有限公司/杭州超探新材料科技有限公司董事长汪训国、云墨智谷园区总经理王波，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官...
半导体领域的三大领军机构——德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）、半导体设备制造商PVA TePla AG与全球半导体硅片巨头世创电子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布开展一项开创性合作项目，以整合各自在晶体生长领域的技术专长，致力于实现氮化铝（AlN...
氮化铝（AlN）在纤锌矿型III族氮化物半导体体系中具有最大带隙，这一特性使其成为构建场效应晶体管中薄GaN沟道强载流子限制的理想势垒材料，其作用机制类似于绝缘体上硅（SOI）技术。相较于SiO₂/Si/SiO₂结构，AlN/GaN/AlN异质结构可实现完全外延生长，从而获得适用...
随着电子信息技术的不断发展，半导体材料也经历了数代更迭。第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础；第二代半导体材料奠定了通信产业的基础；目前以碳化硅、氮化镓为 代表的第三代半导体材料具有耐高压、耐高温等优越性能，主要应用于功率器件和射频器件；而氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材...
单晶氮化铝（AlN）模板是氮化镓（GaN）功率高电子迁移率晶体管（HEMTs）的理想候选材料，但目前相关系统性研究仍较为匮乏。本研究成功制备并系统评估了2英寸AlN模板上的高性能GaN HEMTs器件。研究团队通过在二次外延生长阶段引入AlN成核层，有效钝化了缓冲层/AlN衬底界...
通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底生长的氮化铝（AlN）外延层上制备出了击穿电压高达11.6 kV的横向NiO/AlN异质结二极管（HJDs）和击穿电压高达8.6 kV的Ni/Au/AlN肖特基势垒二极管（SBDs）。
氮化铝（AlN）衬底技术的突破性进展，正使其成为新一代电子与光电子器件领域具有变革性潜力的关键材料。
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