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2026年8月26至28日，PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会，在深圳国际会展中心成功举办。作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asi...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣...
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年8月26至28日，PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会，在深圳国际会展中心成功举办。作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asia Shenzhen 2026打破展会单一展示边界，联动海内外龙头企业、重点高校...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣誉。
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体氮化铝单晶衬底全套制程能...
本工作采用等离子体辅助分子束外延技术，在蓝宝石上AlN模板上制备了具有超晶格势垒的全应变GaN沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs），并在异质结构中引入铁电Sc₀.₁₈Al₀.₈₂N外延层以调控器件性能。与传统的厚AlN缓冲层不同，本工作在AlN模板与GaN沟道之间插入超薄Sc₀....
本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×10¹³ cm⁻²）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/mm）与高击穿场强（>4.8 MV/cm）的协同优化。
本文报道了超宽禁带（UWBG）AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实现，该器件实现了超过 85 GHz 的电流增益截止频率和超过 1.3 A/mm 的电流密度。我们在 AlN单晶衬底上外延生长了超薄沟道层和缓冲层，并引入反极性梯度 AlGaN 接触层，将接触电阻...
超宽禁带（UWBG）半导体pn结二极管在高电压电力电子与紫外光电子器件领域具有重要应用前景。然而，受限于AlGaN中掺杂剂溶解度低、缺乏功函数匹配的金属、工艺诱导损伤以及单晶体AlN衬底中位错缺失等因素，在UWBG结区制备低阻接触极具挑战。
富铝AlGaN是制备深紫外光电器件与高功率功率电子的理想候选材料，然而在低成本蓝宝石衬底上实现高效n型导电仍面临巨大挑战，这主要归因于高位错密度、缺陷辅助补偿效应以及有限的施主激活效率。本研究系统研究了MOVPE外延生长的Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N中Si掺杂行为，并阐明了制约其电...
德国弗劳恩霍夫集成系统与器件技术研究所（IISB）与PVA TePla AG在联合实验室框架下整合专业优势，共同致力于氮化铝（AlN）晶体的生长。作为欧洲首个此类合作项目，该联合实验室可实现直径2英寸单晶AlN衬底的小批量生产，以满足业界研发需求。此举将显著改善AlN衬底在欧洲的...
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