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浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线、杭州镓仁半导体有限公司和奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司将于2025年5月15-16日在杭州共同组织召开2025年第四代半导体技术研讨会，1...
5月8日，杭州市临平区委常委、统战部部长，临平国家级经济技术开发区党工委书记计子法同志一行莅临云墨智谷园区及奥趋光电，进行走访服务和考察调研。杭州云墨智谷新材料科技发展有限公司/杭州超探新材料科技有限...
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为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于20...
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于J...
浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线、杭州镓仁半导体有限公司和奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司将于2025年5月15-16日在杭州共同组织召开2025年第四代半导体技术研讨会，12个大会报告，31个分论坛报告，聚焦氧化镓、金刚石、氮化铝三大核心材料，目前已收...
5月8日，杭州市临平区委常委、统战部部长，临平国家级经济技术开发区党工委书记计子法同志一行莅临云墨智谷园区及奥趋光电，进行走访服务和考察调研。杭州云墨智谷新材料科技发展有限公司/杭州超探新材料科技有限公司董事长汪训国、云墨智谷园区总经理王波，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官...
感谢正在奋斗的你！
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于2025 年 02 月 27 日（13:30—18:00）在上海光机所王大珩厅举行。
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于Journal of Physics: Materials, Volume 7。这...
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
生长于氮化铝（AlN）单晶衬底之上的N极性AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频性能表现与热管理效能方面呈现出极为可观的应用潜力。
在飞速发展的半导体技术领域，一种材料正崭露头角，有望成为半导体技术游戏规则的改变者（game-changer）：氮化铝（AlN）。
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系数以及数千片量级的生产能力。然而，基于AlN作为超宽禁带半导体的巨大应用潜力，尽...
本研究报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶氮化铝（AlN）衬底上制备的超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N量子阱沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件的顶部和底部势垒层均采用Al₀.₈₇Ga₀.₁₃N材料，实验测得其临界击穿电场强度达11.37 MV/cm...
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）作为现代射频功率放大器的核心部件，在提升器件性能方面发挥着关键作用。为优化器件的电学与热学性能（如实现更高电流密度及更优散热效能），研究人员致力于将氮化铝（AlN）引入GaN HEMT结构。对于设计和优化将AlN作为势垒层、缓冲层...
亚利桑那州立大学的研究团队宣称，他们成功研制出首款在AlN单晶衬底上的纯AlN基晶体管。该团队所制备的金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其击穿电压超过2 kV，且据称漏极饱和电流及开关比（开/关比值）的数值亦颇为可观。
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