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7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单...
6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬...
2024年7月2日至4日，2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题，邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂，围绕5G...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目（编号2022YFB3605300，项目负责人北京...
2024年7月2日至4日，2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题，邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂，围绕5G、6G和Wi-Fi 7等高频、大带宽滤波器技术，共同探讨关键基础材料、器件设计、...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
为了提高量子阱高电子迁移率晶体管（QW HEMTs）中的电子迁移率，我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明，量子阱中高电场引起的界面粗糙度散射限制了迁移率。将量子阱宽度增加到其松弛形态可以减小内部电场和散射，从而...
本文展示了采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件，我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而，我们的研究揭示，在这样的高温生长环境下，Si的掺入量会显著降低。为了实现更高的Si掺入量...
在过去的十年中，半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经超越了硅，占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用领域，人们自然会提出一个问题：下一代新的功率半导体会是什么——哪一种半导体将凭借...
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的超宽带隙和高热导率不仅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，还有助于提高下...
我们在AlN衬底上，采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT，在VGS = 1 V时，实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压（VBr）缩放。与类似的AlN-on-SiC器件不同，高VBr缩放在1000 V以上...
极化诱导载流子在实现超宽带隙半导体AlGaN的高电导率方面起着重要作用，这对于从射频和功率电子到深紫外光电器件的各种应用至关重要。尽管具有重要的科学和技术意义，但在N极性AlGaN中关于极化诱导载流子的研究仍然较少。我们通过系统改变8 nm顶层中的Al含量，从x=0到x=0.6，...
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