奥趋光电祝您国庆快乐！
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动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
动态 | 奥趋光电将应邀出席第四届紫外LED会议
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域...
动态 | 第十八届全国MOCVD学术会议圆满落幕，奥趋光电AlN单晶优惠持续进行中
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...
动态 | 奥趋光电亮相第十八届全国MOCVD学术会议，AlN单晶优惠火热进行中
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮...
奥趋光电祝您国庆快乐！
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
本文系统地从实验和模拟分析了AlN单晶衬底上Far UVC-LED的效率和寿命与波长的依赖关系，并观察到效率与发射波长之间存在正相关关系。在波长227 nm、230 nm、233 nm和235 nm下，WPE（Wall-Plug Efficiency）效率分别达到0.47%、1....
超宽带隙氮化铝（AlN）作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而，AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中，我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺，实现了10-4 Ω cm2级别的低接触电阻率。最小的接触电阻率达到5.82 ...
GaN的宽带隙特性和高饱和速度对于提升射频（RF）晶体管的输出功率密度（Pout）至关重要，这使得雷达和通信系统的覆盖范围得以增加。然而，目前GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的输出功率密度进一步提高受到热限制，主要因为在器件沟道层运行时产生过多无效的热量。
使用这些晶圆制备的首批晶体管已经显示出极具前景的电气性能，例如高达2200 V的击穿电压和优于SiC基/GaN基的功率开关器件的功率密度。与现有的硅器件相比，在AlN晶圆上成功制备出的AlN/GaN HEMTs，其传导损耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶体管大约高出十倍。这些研究突...
为了提高量子阱高电子迁移率晶体管（QW HEMTs）中的电子迁移率，我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明，量子阱中高电场引起的界面粗糙度散射限制了迁移率。将量子阱宽度增加到其松弛形态可以减小内部电场和散射，从而...
本文展示了采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件，我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而，我们的研究揭示，在这样的高温生长环境下，Si的掺入量会显著降低。为了实现更高的Si掺入量...