技术创新是企业竞争优势的根本,是企业可持续发展的重要保障。奥趋光电拥有一支由知名海外留学归国团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高素质核心研发团队。核心成员拥有在世界500强及国内外知名企业丰富的工作经验,具备超强的持续创新能力及丰富的研发管理经验。研发团队成员朝气蓬勃、敢打敢拼,绝大部分均为90后,平均年龄仅25.3岁,但均具有博士或硕士学位,具备卓越的执行力及持续创新力。
数年来,奥趋光电投入大量研发人员及资金人力物力,成功开发出具备完全自主知识产权的全球首台4英寸氮化铝单晶生长全自动化装备;利用一系列技术水平领先的独有专利技术,成功研发出全球首批直径60mm氮化铝单晶及晶圆样片;成功开发并掌握第三代宽禁带半导体大尺寸氮化铝大晶圆衬底材料全套制程工艺与技术;成功研发出颠覆性2英寸/4英寸氮化铝基板大批量制备工艺专利技术,成为本领域全球唯一具备大规模量产能力的企业。
截至2019年围绕氮化铝晶圆制程已申请26份中国专利、1份PCT专利。截至当前,奥趋光电是全球宽禁带半导体材料氮化铝领域持有专利最多的公司之一