11月8-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2023）在北京成功举办。本届会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、中国晶体学会等主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办，全球60余位知名专家学者、企业领袖及资本机构代表出席会议。奥趋光电技术（杭州）有限公司应邀出席，本次会议程序委员会委员、公司CEO吴亮博士于会发表了题为“超宽禁带半导体氮化铝单晶生长技术及其器件开发进展”的主题报告，分享了奥趋光电在宽禁带半导体氮化铝单晶生长工艺、单晶衬底材料制备、全自动氮化铝PVT单晶生长设备开发，以及下游器件开发应用和MOCVD/HVPE同质外延生长等领域的最新成果。
北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家，中国科学院物理研究所研究员陈小龙、日本昭和电工首席技术官Hiroshi Kanazawa任大会主席。北京市经济和信息化局党组成员，副局长顾瑾栩致开幕词。北京天科合达半导体股份有限公司董事/副总经理刘春俊、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司系统工程资深总监丛茂杰、株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家，功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友、清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家，复旦大学研究员雷光寅、深圳市海思半导体有限公司宽禁带半导体器件技术专家仲正、奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人，CEO吴亮、湖北九峰山实验室/功率器件负责人，碳化硅首席专家袁俊、ROHM Co., Ltd.北京技术中心总经理TOKUYASU MIZUHARA、GaN Systems Inc副总裁庄渊棋、Resonac Corporation CTO，SiC 事业部副总经理Hiroshi Kanazawa、山东大学教授贾志泰、中国科学院物理研究所研究员李辉、河北工业大学教授张紫辉、哈尔滨工业大学教授朱嘉琦、西安交通大学教授王宏兴、剑桥大学教授Teng LONG、香港科技大学教授黄文海、香港大学副教授凌志聪、Yole Intelligence高级分析师Poshun CHIU等在会议上发表精彩报告！
本届大会以“开放联通·共筑未来”为主题，聚焦SiC、AlN、GaN、Ga2O3、金刚石等宽禁带半导体材料及其下游器件，围绕材料与晶体生长、缺陷和表征、装备设计、晶圆加工工艺和特性、器件设计和测试、封装与可靠性，以及材料和器件在可再生能源、储能、交通、电力系统等领域的应用等研究焦点和市场热点，通过大会报告、专场报告、高峰论坛、口头报告、项目路演和墙报等多种形式，进行了充分、广泛、深入和专业化的交流。与会专家学者、行业精英分享了宽禁带半导体技术的最新研究进展，交换了产业的前瞻性观点，展示了企业的先进成果，为全球宽禁带半导体技术和应用描绘了未来蓝图。本次会议的召开，对亚太地区宽禁带半导体领域的国际技术交流合作、产学研协同、产业链融合和相关行业互联互通将起到积极有效的推动作用。
关于亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM）
近年来，随着以SiC、AlN、GaN等为代表的宽禁带半导体材料生产工艺的进一步突破，全方位提升了下游市场对宽禁带半导体的需求。宽禁带功率半导体在消费电子、汽车电子、工业自动化、5G通信等领域迎来前所未有的黄金机遇。全球宽禁带半导体商业化和产业化进程正在全面加速，国际大厂纷纷拓土加大投入，推动了技术研发和创新应用，促进了产业链各环节的协同发展，撬动了技术的迭代升级和产业的持续壮大。
亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM）自2018年在中国北京举办首届会议以来，目前已经成功举办三届，每届会议均吸引来自欧美日等十余个国家或地区的权威代表参加，历届出席人数累计超过2000人次，共发表近200个报告分享，吸引700余家企业参与，现已成为亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平论坛，得到了社会各界的广泛认可和支持，带动了亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的强势发展，加快了产业内跨界融合创新与协同驱动发展的进程。
为更好得助力亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业的学术研究、技术进步和产业升级，APCSCRM 2023于2023年11月8日-10日在北京盛大召开，会议以“开放联通·共筑未来”为主题，聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、企业领袖、资本机构分享全球宽禁带半导体技术最新研究进展和市场动态，进一步促进亚太地区宽禁带半导体领域产学研用的共建合作和共享创新，拓宽人才培养，激发产教融合，打通技术成果转移转化的壁垒，推动宽禁带半导体产业实现高质量发展！
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2023年10月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。