动态 | 奥趋光电应邀访问沙特阿卜杜拉国王科技大学

2023-01-16 管理员


阿卜杜拉国王科技大学(King Abdullah University of Science & Technology,以下简称KAUST)作为一所沙特王室重点打造的专攻理工领域的国际化、研究型大学,与奥趋光电在宽禁带半导体材料、器件和应用技术等领域保持着长期的交流合作。

 

阿卜杜拉国王科技大学(King Abdullah University of Science & Technology,以下简称KAUST)作为一所沙特王室重点打造的专攻理工领域的国际化、研究型大学,与奥趋光电在宽禁带半导体材料、器件和应用技术等领域保持着长期的交流合作。2022年12月30日至2023年1月9日期间,应KAUST先进半导体实验室首席研究员(PI)李晓航教授的邀请,奥趋光电首席执行官吴亮博士赴KAUST开展了一系列学术交流与商务访问活动。

                                             

在访问期间,吴亮博士应邀在KAUST发表了题为“Challenges and Recent Progress on AlN Growth by the PVT Method(PVT法AlN单晶生长的最新进展及未来挑战)”的学术报告,详细介绍了生长AlN单晶的常用策略、关键工艺设备及其优缺点;针对PVT法单晶生长工艺面临的一系列挑战,分享了奥趋光电在氮化铝单晶生长设备、模拟仿真软件、晶体生长工艺及衬底制备领域的最新进展,包括奥趋光电成功实现AlN晶体从2英寸到3英寸迭代扩径生长,制备出直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片的最新成果,以及氮化铝材料在紫外光电器件、5G射频器件、功率器件等领域的应用前景。李晓航教授等二十余位专家学者、科研人员和在校师生出席报告会,并与吴亮博士就氮化铝的晶体生长工艺、极性控制、扩径技术及其在各类器件中的应用等问题展开了热烈讨论和深入交流。李晓航教授指出,超宽禁带半导体氮化铝具有极其优异的材料特性,在光电/射频/功率器件等领域具有广阔的应用前景;KAUST先进半导体实验室多年聚焦超宽禁带半导体材料外延生长及其相关器件前沿研究领域,而奥趋光电作为全球知名的氮化铝材料领域领军企业,各自优势具有非常强的互补性希望双方在宽禁带材料、器件设计与工艺、人才交流与培养等方面加强合作,实现共赢。

 

 

 


 

访问期间,吴亮博士在相关人员带领下参观了KAUST Core Labs,对于KAUST校区的科学合理规划、现代化设计、宜人环境、高标准实验室及先进实验设备等留下了深刻印象;通过与在校师生和科研人员代表进行多次深入交流与学习,吴亮博士对KAUST先进办学理念、高素质的人才队伍、高强度研发投入以及学校近年来在科研领域所取得的成就表示由衷的敬佩,并表示包括奥趋光电在内的国内高科技创新型企业,其发展同样离不开研发驱动的理念、扎实的人才基础和持续高效的研发投入,双方目标一致,理念相同,相信未来将会开拓出更多的合作空间和发展契机。在与李晓航教授等专家的会晤中,双方就以氮化铝为代表的宽禁带半导体材料的基础性研究以及应用端下游器件的合作开发等议题深入交换了意见并规划了实施方案,双方还就未来的国际间人才交流和产学研合作等进行了充分讨论,达成了广泛共识。

 

 

关于KAUST

 

KAUST(King Abdullah University of Science & Technology,沙特阿卜杜拉国王科技大学),建立于2009年,坐落于沙特阿拉伯吉达市,校园占地面积36平方公里,是一所US News世界大学排名前100、专攻理工领域的国际化、研究型科技大学。学校拥有世界顶尖的科研设备和实验室,致力于通过跨学科的研究、教育和创新推进全球科学与技术进步。KAUST汇集了世界各地的优秀人才,超过120个不同国家的师生在校园内生活、工作和学习,是全球最为国际化的大学之一。作为一所年轻的大学,KAUST已经成为世界上学术研究和论文被引用率增长最快的学术机构之一。据QS世界大学排名——“单位教职的论文引用数”(Citations per faculty)排名报告, KAUST在2015到2022年连续八年位居世界第一,凸显了KAUST在全球科学研究领域的影响力。由于在学术界的异军突起,KAUST也被誉为"House of Wisdom"(智慧圣地)和 "Arab MIT"(阿拉伯的MIT)。

 

 

关于奥趋光电

 

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

 

奥趋光电经过多年的高强度研发投入,于2019年成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片,奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2022年12月,共申请/授权国际、国内专利50余项,是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一,被公认为本领域全球技术的领导者。