动态 | Applied Sciences (IF=2.67) Call for contributors: AlN – from Crystal Growth to Device Development

2022-06-14 管理员


Special Issue特刊:"Aluminum Nitride – From Crystal Growth to Device Development"

Special Issue特刊:

"Aluminum Nitride – From Crystal Growth to Device Development"

 详情页面

https://www.mdpi.com/journal/applsci/special_issues/AlN_Crystal_Growth

 

    

 

氮化铝(AlN)作为新一代超宽禁带半导体材料,具有高禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m∙K))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、高化学和热稳定性(热分解> 2400°C)、高硬度(莫氏硬度9)以及良好电子性能(电阻率109-1015 W.m)等优异特性,是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件(如功率器件、UVC-LED、紫外激光器、紫外探测器,以及压电MEMS电传感器等)的理想衬底材料。氮化铝半导体技术的发展对驱动高能效、低碳排放、生物检测/探测及大宽带通信技术等具有重要意义。

 

迄今为止,氮化铝材料的应用主要通过化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石等衬底上异质生长氮化物半导体薄膜实现。相对于这一技术路线,氮化铝单晶衬底可以使晶圆的缺陷密度降低几个数量级,从而显著提升功率器件/光电器件等性能。目前唯一已知可批量化生长块状AlN单晶的方法是在超2000 °C高温环境下的物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT),但该生长工艺尚存在形核控制、扩晶技术、晶圆加工、N型掺杂等一系列技术难题有待解决。在产业界,目前可实现2英寸氮化铝单晶衬底的小批量制造,更大晶圆尺寸和大批量化生产方面的瓶颈亟待突破。

基于此,Applied Sciences期刊(2021年影响因子2.68) 特别邀请了氮化铝晶体生长技术先驱之一、德国柏林晶体生长研究所(IKZ)氮化铝前技术负责人Jürgen Wollweber博士,奥趋光电技术(杭州)有限公司CEO吴亮博士担任客座编辑,共同创建 “Aluminum Nitride – From Crystal Growth to Device Development” 特刊,本特刊预计将囊括全球氮化铝材料及其器件领域的知名科学家和研究团队,为全球科研及产业界研究人员提供从氮化铝晶体生长、晶圆加工到下游器件等研究领域的最新进展,从而有效推动超宽禁带半导体氮化铝材料及其器件产业的发展与进步。欢迎我国从事氮化铝材料及器件的高校、科研机构及产业界人士关注并踊跃投稿!

 

特刊征稿信息

 

关键词

Aluminum nitride、AlN、single crystals、crystal growth、PVT、sublimation、wafer、MOCVD、native substrate、sapphire、device

投稿截止日期:

2022年11月30日

特刊详情页面:

https://www.mdpi.com/journal/applsci/special_issues/AlN_Crystal_Growth

 

关于Applied Sciences:

 

Applied Sciences(ISSN 2076-3417)是由多学科数字出版机构MDPI出版的国际同行评议开放获取期刊。自2011年创刊以来不断发展,为全球学者提供了一个关于应用自然科学多个方面的高级论坛。期刊主题涵盖应用物理学、应用化学、工程、环境和地球科学以及应用生物学等相关领域。目前已被SCIE、Scopus等多个数据库收录,2021年影响因子(Impact Factor)2.68;获中国科学技术协会《高质量科技期刊分级目录总汇》“材料-综合领域”高质量科技期刊T2评级;在中国期刊协会等发布的《世界期刊影响力指数 (WJCI)报告 (2020科技版)》入选“工程综合”学科的159个期刊中,名列第2,WJCI指数为12.953。

 

关于奥趋光电:

 

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

 

奥趋光电经过多年的高强度研发投入,成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2022年5月,共申请/授权国际、国内专利50余项,是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一,被公认为本领域全球技术的领导者。