行业 | 深紫外(UV-C)需求增长,HexaTech宣布扩大单晶氮化铝衬底产能

2021-07-19 管理员


7月13日,位于北卡罗莱纳州Morrisville的美国HexaTech公司宣布,针对深紫外(deep-UV)光电器件的需求增长,再次扩产其高透两英寸单晶氮化铝衬底产线。

7月13日,位于北卡罗莱纳州Morrisville的美国HexaTech公司宣布,针对深紫外(deep-UV)光电器件的需求增长,再次扩产其高透两英寸单晶氮化铝衬底产线。

 

有证据显示,紫外线发光二极管或许可以用于杀灭新冠病毒,降低疫情传播风险。在此背景下,深紫外(UV-C)LED便受到期待。深紫外LED的商业化的核心限制因素之一就是高质量氮化铝衬底。

 

HexaTech在2019年5月宣布具备了生产无缺陷氮化铝基板的能力,并在2020年4月宣布实现量产。HexaTech业务发展副总裁GregoryMills 表示:“此次扩产证明了HexaTech专注于推动AlN衬底事业,为其战略合作伙伴在快速增长的UV-CLED 市场中的价值主张,通过提供显着提高的LED设备性能,同时降低LED制造成本,达成真正的双赢。”

 

据Hexa披露,这些单晶氮化铝衬底提供市场上透明度最高的AlN基板,在265nm处的吸收系数值低于30cm-1,极低的系数实际上消除了UV-C发光二极管(LED)的穿透基板透明度问题,提供了最佳的紫外线C(UV-C)光电器件性能。

 

关于HexaTech

 

HexaTech是日本东京StanleyElectric公司的全资子公司,是全球领先的单晶PVT生长AlN衬底商业供应商是全球领先的单晶PVT生长AlN衬底商业供应商。氮化铝单晶衬底材料可使用于消毒应用的长寿命UV-C发光二极管(LED)、用于生物威胁检测的深紫外激光器,还可用于高效功率转换的高压开关设备以及可以用于卫星通信的RF(射频)组件。

 

 

 

原文转载于公众号【粉体圈】