快讯 | 中电化合物半导体有限公司总经理潘尧波博士、首席科学家马远博士来访奥趋光电

2020-11-20 管理员


11月9日,中电化合物半导体有限公司总经理潘尧波博士、首席科学家马远博士一行来访奥趋光电,进行技术交流与合作洽谈。

 

 

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11月9日,中电化合物半导体有限公司总经理潘尧波博士、首席科学家马远博士一行来访奥趋光电,进行技术交流与合作洽谈。奥趋光电首席执行官兼总经理吴亮博士、综合管理部总经理陈鹏先生等进行了热情接待。

 

潘尧波博士、马远博士一行首先在吴亮博士等的陪同下参观了奥趋光电杭州总部办公室,对于现场的办公环境、员工风貌留下了深刻印象。随后,双方进行了亲切会谈。吴亮博士首先感谢了中电化合物半导体有限公司的来访,并向来访嘉宾详细介绍了奥趋光电的公司概况、取得的科研成果和团队技术优势,同时着重向与会嘉宾介绍了奥趋光电氮化铝单晶衬底、硅基/蓝宝石基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉等重要产品、设备的开发进度、量产计划,并结合产品的产业化进程和市场机遇对公司未来的前进方向和发展前景进行了规划和展望。

 

潘尧波博士对奧趋光电大力投入资金、人才等各方面资源,长期专注于超宽禁带半导体氮化铝材料产业给予了高度认可,并对奧趋光电取得的研发成果,以及在科研成果产业化和市场化方面取得的进展表示了肯定,同时对氮化铝材料未来的广泛应用表达了期待。马远博士在了解了氮化铝材料的研发难度、材料特性优势和应用前景后,对奥趋光电科研团队攻克技术难关,为氮化铝材料的下一步市场化应用奠定基础表示了赞赏。吴亮博士对中国电子信息集团、中电化合物半导体有限公司大规模投资宽禁带半导体材料产业,在多个领域取得众多创新成果,并实现多个重大项目落地表示了敬佩。

 

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双方从第三代半导体材料的技术研发、产品开发角度出发,进行了深入交流,重点探讨了碳化硅、氮化铝晶体生长、晶圆制备和模拟仿真过程中的要点、难点问题和解决方案。最后,双方就未来在合作研发、晶体生长模拟仿真技术协作、人才交流等方面的合作详细交换了意见。未来双方将保持进一步沟通协调,充分利用各自优势推进下一步多维度的深入合作。

 

 

 

 

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关于中电化合物半导体有限公司

 

 

 

中电化合物半导体有限公司(CECS)成立于2019年11月,是由中国电子信息产业集团有限公司旗下华大半导体有限公司主导投资的一家致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技企业。公司主要聚焦于大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售,产品可广泛用于电动汽车、新能源、柔性电网、工业装备、家用消费电子设备等众多领域。公司注册资本4.7亿,项目一期位于宁波杭州湾新区数字经济产业园内,二期拟规划在宁波杭州湾新区建设占地面积约70亩的规模化产业基地和专业的超净房生产车间。

 

 

 

 

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关于奥趋光电

 

 

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、硅基/蓝宝石基氮化铝薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

 

奥趋光电经过多年的高强度研发投入,成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,也是全球首家硅基/蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供1英寸/2英寸高质量氮化铝单晶衬底、4/6/8英寸硅基及2/4/6英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2020年7月,共申请/授权国际、国内专利36项,是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一,被公认为本领域全球技术的领导者。