公司新闻
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新产品 | 奥趋光电发布耐超高温、高性能MEMS用AlN单晶衬底基AlScN压电新材料
几十年来，压电薄膜氮化铝（AlN）因其出色的介电性能以及物理/化学稳定性而备受关注（见表1），并已广泛用于压电 MEMS传感器和致动器元件等。 由于AlN压电系数偏小，2009 年Akiyama 等人...
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砥砺五十年丨“纪念《人工晶体学报》创刊五十周年”线上学术讲堂第五讲圆满结束
2022年7月2日晚上7点，由《人工晶体学报》编委会组织的“砥砺五十年”线上学术讲堂第五讲在《人工晶体学报》青年编委、山东大学贾志泰教授的主持下顺利开讲。
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“砥砺五十年”线上学术讲堂预告丨吴亮：超宽禁带半导体AlN单晶生长技术最新进展及其面临挑战
“砥砺五十年——纪念《人工晶体学报》创刊五十周年”线上学术讲堂已经拉开序幕！第五讲 超宽禁带半导体AlN单晶生长技术最新进展及其面临挑战
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动态 | Applied Sciences (IF=2.67) Call for contributors: AlN – from Crystal Growth to Device Development
Special Issue特刊："Aluminum Nitride – From Crystal Growth to Device Development"
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动态 | 临平区委书记陈如根在“云墨智谷”开展“三服务”走访调研
5月6日上午，杭州市临平区委书记陈如根赴奥趋光电所在园区——“云墨智谷”产业园，调研新材料产业发展情况，开展“三服务”活动。他强调，要认真学习贯彻习近平总书记关于统筹疫情防控和经济社会发展的重要论述精...
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动态 | 奥趋光电铝极性氮化铝单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
氮化铝是极具战略意义的新一代超宽禁带半导体材料，具有超宽禁带、高热导率、高击穿场强、高热稳定性及良好的紫外透过率等优异性能，是高功率、高频及高压器件理想衬底材料，同时也是紫外光电器件最佳衬底材料。据康...
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动态 | 奥趋光电四款产品通过“浙江省级工业新产品”鉴定验收
日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司开发的“UVC-LED用高质量氮化铝单晶衬底”、“高功率器件用氮化铝单晶衬底”、“高质量蓝宝石基氮化铝模板”、“硅基氮化铝薄膜模板”等四款产品，通过评审鉴定，获浙江省...
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动态 | 奥趋光电应邀参加第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛
2021年12月6日至8日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS &...
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动态 | 第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门胜利闭幕
本届会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)联合主办，厦门大学、南京大学承办，福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新...
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