2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主题报告，同时将在现场设展，并展示新一代高良率、高均匀性2英寸AlN等相关产品。
会议地点
杭州太虚湖假日酒店（杭州市萧山区义桥东方文化园内）
展位编号
A38
诚邀各位领导、专家、业界伙伴莅临参观指导和洽谈合作！
2025年5月，第一届第四代半导体技术研讨会在杭州成功举办，吸引了众多行业专家、学者和企业代表的积极参与，共同探讨了第四代半导体材料的最新研究成果、技术挑战及市场应用。基于首届研讨会的成功经验与丰硕成果，本届会议将继续聚焦第四代半导体材料的关键技术突破、产业化路径以及合作机会。研讨内容涵盖氮化铝、氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的晶体生长与加工，薄膜及外延技术，基于第四代半导体材料的新一代功率及光电器件，以及相关装备和产业政策等。同时还将展示最新的研究成果和创新产品，为行业内的专业人士提供一个交流思想、分享经验、拓展视野的高端平台。具体议程如下：
值得一提的是，为助力第四代半导体AlN材料在6G射频、超高功率电子及深紫外光电器件等关键领域的技术创新与产业化落地，奥趋光电此前公布了AlN单晶衬底全新销售价格体系。产品定价全面下调，幅度最高超60%，旨在以普惠定价重构行业成本格局。
奥趋光电AlN单晶衬底产品最新定价如下：
意向购买各规格AlN单晶衬底材料的用户和行业伙伴，可于本次会议期间在A38展位现场咨询奥趋光电工作人员，或通过以下渠道了解详情、洽谈合作、下单采购。
1. 通过奥趋光电销售热线：0571-88662006、18069846900（陈先生，微信同号）洽谈采购；
2. 或登录奥趋光电官网：www.utrendtech.com，线上了解产品详情及最新定价，在线下单采购；
3. 或扫描下方小程序码，进入奥趋光电微商城，移动端下单采购。
奥趋光电新一代批量制备高良率、高均匀性单晶产品
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奥趋光电氮化铝单晶衬底系列产品定价及购买渠道
关于第二届第四代半导体研讨会
随着5G/6G通信、人工智能和新能源产业的快速发展，第四代半导体（如氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石等超宽禁带材料）因其更高的功率密度、耐高温特性及低能耗优势，成为全球半导体技术竞争的新焦点。2025年5月，第一届第四代半导体技术研讨会成功举办，吸引了众多行业专家、学者和企业代表的积极参与，共同探讨了第四代半导体材料的最新研究成果、技术挑战及市场应用。
基于首届研讨会的成功经验与丰硕成果，第二届第四代半导体技术研讨会将于2026年3月18-19日在杭州市举办。本次会议将继续聚焦第四代半导体材料的关键技术突破、产业化路径以及合作机会，同时，还将展示最新的研究成果和创新产品，为行业内的专业人士提供一个交流思想、分享经验、拓展视野的高端平台。共同见证和推动第四代半导体技术的发展，为未来科技的进步贡献力量。
会议时间：3月18-19日（17日签到）
会议地点：杭州太虚湖假日酒店（杭州市萧山区义桥东方文化园内）
会议最新信息详见微信公众号“半导体在线”
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。公司核心专注于第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备5.5G/6G基站射频HEMT器件、相控阵雷达T/R芯片、紫外光电探测器/传感器等各类高温/高频射频器件、高频/高功率电子器件、紫外发光及激光器件的理想衬底材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2025年12月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。