——2英寸AlN衬底P级标准片仅需25,000元/片，同等投入实现双倍研发效能，加速超宽禁带半导体产业化
自2025年成功发布2-4英寸氮化铝（AlN）单晶衬底全流程高良率工艺解决方案以来，奥趋光电技术（杭州）有限公司实现AlN单晶衬底制造良率跨越式提升，并已形成批量稳定供货能力。2026年2月1日起，奥趋光电宣布将在全球执行全新的销售价格体系，AlN单晶衬底系列产品价格全面下调，幅度最高超60%，旨在以普惠定价重构行业成本格局！其中各规格AlN单晶衬底P级产品调价如下（奥趋光电官网已同步更新）:
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2英寸：57,000元/片 → 25,000元/片（降价幅度56%）；
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1英寸：28,000元/片 → 12,500元/片（降价幅度55%）；
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10×10mm： 13,000元/片 → 5,000元/片（降价幅度62%）；
同等经费投入，斩获双倍材料供给，量大更有惊喜！此次定价调整不仅将大幅降低产学研各界的研发与产业化成本，更将加速 AlN 先进材料在6G 射频、超高功率电子及深紫外光电器件等关键领域的技术创新与产业化落地。奥趋光电将不断实施产能扩充，推动我国超宽禁带半导体产业实现跨越式发展，为全球 AlN 材料生态注入强劲中国动力。
奥趋光电新一代高良率批量制备产品
奥趋光电 AlN 单晶衬底全系列产品最新定价详情如下
AlN 作为国际公认的新一代战略性先进电子材料，有着其它宽禁带半导体材料所无法比拟的优势与效率（如下图），是6G射频、超高功率电子及深紫外光电等器件的理想材料。AlN凭借如下六大核心优势领跑超宽禁带半导体领域：
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超宽禁带（6.2 eV）：目前已知半导体材料中最大禁带宽度；
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超高击穿场强（15.4 MV/cm）：耐受极端电场，支撑高压器件小型化；
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高热导率（340 W/m・K）：高效散热，保障器件长期稳定运行；
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高本征电阻率（>10¹³ Ω・cm）：优异绝缘性能，降低漏电流；
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极端环境稳定性：耐温超 1000℃、抗辐射、化学惰性强；
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卓越晶格匹配：与 GaN/AlGaN 失配率 < 2.5%，适配高性能器件外延需求。
不同材料高频、高功率晶体管JFOM品质因子对比图 (normalized to GaN).
(source:https://group.ntt/en/newsrelease/2025/12/09/251209a.html)
产品采销渠道
意向购买各规格AlN单晶衬底材料的用户和行业伙伴，欢迎通过以下渠道了解详情、洽谈合作、下单采购。
1. 通过奥趋光电销售热线：0571-88662006、18069846900（陈先生）洽谈采购；
2. 或登录奥趋光电官网：www.utrendtech.com，线上了解产品详情及最新定价，在线下单采购；
3. 或扫描下方小程序码，进入奥趋光电微商城，移动端下单采购。
奥趋光电氮化铝单晶衬底系列产品定价及购买渠道
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。公司核心专注于第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备5.5G/6G基站射频HEMT器件、相控阵雷达T/R芯片、紫外光电探测器/传感器等各类高温/高频射频器件、高频/高功率电子器件、紫外发光及激光器件的理想衬底材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2025年12月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。