动态 | 超宽禁带半导体AlN材料和器件专题研讨会在杭州成功举办

2025年11月29-30日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主办，奥趋光电技术（杭州）有限公司、北京大学、山东大学、西安电子科技大学、广东省科学院半导体研究所共同承办的超宽禁带半导体AlN材料和器件专题研讨会在浙江杭州顺利召开。专委会顾问委员、中国科学院院士杨德仁教授，专委会主任委员沈波教授，国家自然科学基金委信息学部原副主任何杰研究员，专委会副主任委员康俊勇教授、陈敬教授、徐科研究员，专委会副主任委员兼秘书长陈志涛教授级高工，专委会委员郭炜研究员、黄森研究员、李忠辉研究员、刘雯高级副教授、潘尧波总经理、孙钱研究员、孙晓娟研究员、唐宁教授、闫建昌研究员、张纪才教授、张紫辉教授、周弘教授，专委会副秘书长徐明升教授、张苇杭教授、赵维研究员等50余名来自高校、科研院所及产业界的专家受邀参会研讨。

研讨会开幕式由专委会副主任委员、厦门大学康俊勇教授主持。研讨会会议主席、专委会委员、杭州电子科技大学、奥趋光电吴亮教授介绍了会议筹备背景及组织情况。专委会顾问委员、浙江大学杨德仁院士在致辞中指出，超宽禁带半导体AlN材料与器件是目前国际上关注的热点，举办此类聚焦细分领域的专题研讨会，对我国AlN半导体的研究与产业发展具有重要的促进作用。专委会主任委员、北京大学沈波教授在致辞中指出，近年来超宽禁带AlN半导体技术迅速发展，具有广阔的应用与产业化前景，本次会议旨在围绕AlN半导体材料与器件的核心科学问题与产业共性难题展开深入探讨，加速推动AlN半导体的应用与产业化发展。

会议设置专题报告与研讨交流两大环节。在29日下午的报告环节中，来自学术界与产业界的十余位专家围绕AlN单晶生长、外延技术、光电器件、射频与功率器件等前沿方向作了精彩报告。其中，在专委会副主任委员、香港科技大学陈敬教授及专委会委员、中科院长春光机所孙晓娟研究员的主持下，北京大学于彤军教授、深圳大学武红磊教授、中国电子科技集团公司第四十六研究所程红娟研究员、山东大学张雷教授、奥趋光电技术（杭州）有限公司王琦琨博士、北京化工大学张纪才委员分别围绕大尺寸AlN单晶生长、同质/异质外延、缺陷机制等方面进行了专题报告；在专委会副主任委员、中科院苏州纳米所徐科研究员及于彤军教授的主持下，国防科技大学王广研究员、西安电子科技大学薛军帅教授、孙晓娟委员、沙特国王科技大学李晓航教授、郭炜委员、周弘委员、闫建昌委员分别围绕AlN基光电子器件、射频器件、功率器件等方面进行了专题报告。

30日上午的研讨环节由沈波教授和吴亮教授共同主持，与会专家围绕“AlN单晶生长的难点和核心问题”、“AlN缺陷、紫外透过率等关键指标的表征、调控理论和方法”、“AlN单晶衬底在紫外光电、射频及功率器件领域的应用前景与瓶颈”、“AlN外延生长以及N/P型掺杂”等议题展开了热烈而深入的讨论。讨论持续近四个小时，研讨氛围浓郁，观点碰撞激烈，为AlN技术的发展方向提供了诸多建设性思路。

最后，沈波教授对会议进行了总结。他高度评价了本次会议取得的成效，通过召开本次专题研讨会明确了AlN半导体面临的关键问题以及未来的发展目标，希望加强产学研合作，共同推进我国超宽禁带AlN半导体材料和器件创新研究与产业发展。

本次会议得到了蓝河科技（绍兴）有限公司、连科半导体有限公司的大力支持。会议期间，与会专家参观并了解了奥趋光电技术（杭州）有限公司的产品技术研发及产业化进展。