2026年8月26至28日，PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会，在深圳国际会展中心成功举办。作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asia Shenzhen 2026打破展会单一展示边界，联动海内外龙头企业、重点高校与科研院所，规划“重磅产业峰会+多场细分主题论坛+跨界合作会议”完整内容矩阵。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会特别邀请，出席本次会议，并在由PCIM Asia Shenzhen及深圳平湖实验室联合主办的超宽禁带半导体前沿技术论坛上发表了题为“AlN单晶PVT生长及其器件最新进展”的主题报告。
本次超宽禁带半导体前沿技术论坛紧扣国家“十五五”规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓、氮化铝等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，精准锚定产业前沿趋势，以高端交流平台赋能产学研用深度协同。深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院张道华院士，西安电子科技大学张金风教授，杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉教授，中国科学院上海光机所研究员、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士，宁波晶钻科技股份有限公司研发中心资深工程师王鹏博士等行业领军企业及科研院所权威专家与会发表专题报告并与现场观众深入研讨。议题覆盖单晶生长、智能长晶、材料及器件产业化应用等核心领域，全方位呈现超宽禁带半导体从技术研发、工艺突破到场景落地的全链条创新成果，为行业输出了系统性解决方案与前瞻性产业洞察，推动了技术互通、资源共享和产业链协同创新，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。
深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院张道华院士在“超宽禁带半导体的挑战和进展”主旨报告中表示，氮化铝材料和器件的逐步商业化，其应用市场预计到2035年会增长至100亿美元，包括深紫外光电器件、射频器件及功率器件等。奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士在“AlN单晶PVT生长及其器件最新进展”的主旨报告中表示，氮化铝单晶是唯一从底层材料突破现有6G射频和新一代超高功率密度雷达T/R芯片如位错密度高、漏电、电流崩塌、高频损耗大及散热差瓶颈等全部痛点的衬底方案；氮化铝基器件无论是基础材料、外延N/P型杂质掺杂/极化掺杂技术及器件开发近年来均快速发展，且部分氮化铝基器件外延技术已经大规模产业化多年，器件制备基础设施已非常完善。但基于氮化铝单晶衬底技术的高性能器件大规模应用当前仍面临不少挑战，包括单晶衬底制备成本较高、衬底的质量/均匀性/一致性有待进一步提升，而器件方面也面临欧姆接触差等工程技术问题（而非理论瓶颈）。随着这些工程问题正在或逐步解决，氮化铝单晶衬底有望成为第四代射频器件/雷达收发芯片的核心基底，并在超高耐压、超高功率、超高温及超强抗辐射等器件领域展现出其独特应用价值。
本届PCIM Asia Shenzhen深圳电力电子展汇聚了271家全球知名的电子电力领域品牌，吸引了超2.8万名专业观众，打造了亚洲年度“功率半导体”最强秀场。除覆盖电气化交通、AI电源及数据中心、可再生能源与智慧能源三大核心赛道的实体展会外，还重磅打造了多层次、全产业链的同期论坛体系。通过汇聚全球产学研顶尖资源，以头部峰会、主题论坛、合作会议三大板块，搭建技术交流、产业对接、趋势研判一体化的行业平台。全论坛合计192场专业技术演讲，汇聚了来自半导体材料及器件、新能源、算力基建、汽车电子等领域的技术专家、研发工程师、企业高管、行业投资人与高校科研人员。论坛内容紧扣当下产业热点，从全球产业宏观走势、国产功率器件产业化落地，到AlN/Ga2O3/金刚石等超宽禁带前沿工艺、AI服务器电源解决方案、电气化交通、新型储能系统应用，打通从顶层战略研判到底层技术落地全链路，实现“看展品、听干货、拓资源”一站式参会价值。助力从业者精准捕捉行业风口，实现上下游优质资源共享和产业链协同创新。
关于PCIM Asia Shenzhen
PCIM Asia Shenzhen——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会是PCIM Expo & Conference在亚洲地区的姐妹展。自2002年在中国首办以来，迄今仍是中国市场少有的专注于电力电子领域及该技术在国家电网、工业、轨道交通、智能运动及电动车技术应用解决方案的专业商贸平台。每年的展览会云集世界各地电力电子元器件及相关应用技术知名品牌，向业界呈现即将推出市场的研发产品和技术趋势，为来自电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的专业人士提供了一个良好的交流平台。
PCIM Asia Shenzhen 2026汇聚271家国内外领军企业，集中展示功率半导体、被动元器件、半导体材料及封装技术、测试测量仪器设备、半导体制造装备、电力电子系统及全生态链创新产品与解决方案，完整呈现电力电子产业前沿技术成果，为产业链供需对接搭建高效平台。三菱电机、英飞凌科技作为战略合作伙伴，赛米控丹佛斯、富士电机、罗姆作为铂金赞助商继续鼎力赞助，中国中车、Power Integrations、博世、赛晶半导体、斯达半导体、贺利氏、永铭电子、宏微科技、英诺赛科、捷捷微电、银河微电、华润微、东芝、扬杰科技、北一半导体科技等集中亮相。展会同期，多场主题论坛轮番精彩上演，现场共同探讨革新器件、前沿材料、先进技术及配套解决方案等，PCIM Asia Shenzhen已然成为行业思想碰撞、技术融通与共话未来发展的关键平台。
关于深圳平湖实验室
深圳平湖实验室是国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台、工信部重点培育中试平台、广东省半导体与集成电路中试平台（化合物功率半导体），由深圳市科技创新局举办成立。围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。
已建成功能完善的现代化园区，位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有业界领先的宽禁带功率半导体研发和生产基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平米。
实验室汇集海内外行业顶尖的研发人才和资深工程师，打造面向全国的开放、公共、共享的科研中心、中试中心以及分析检测中心。致力于突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体产业链，并在下一代半导体产出世界级创新成果，培养世界级人才，与合作伙伴组成生态系统，共同构建可持续发展的未来。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。公司核心专注于第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备5.5G/6G基站射频HEMT器件、相控阵雷达T/R芯片、紫外光电探测器/传感器等各类高温/高频射频器件、高频/高功率电子器件、紫外发光及激光器件的理想衬底材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2026年6月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。