公司新闻
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动态 | 奥趋光电应邀参加2023中国电子材料创新发展（唐山）大会
7月5-7日，2023中国电子材料产业创新发展（唐山）大会在唐山顺利举办，来自近400家单位的700余名专家、学者、行业精英齐聚一堂。
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动态 | 奥趋光电荣获临平区委组织部引才“金桥奖”
6月16日，“中国芯”长三角开源创新提质发展大会暨2023年临平区科技人才节在中国（杭州）算力小镇隆重举行。会议现场，临平区委组织部对2022年度临平区人才工作进行了表彰，奥趋光电技术（杭州）有限公司...
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动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（一）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注，
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动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（二）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注
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动态 | 奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
奥趋光电技术（杭州）有限公司，全球领先的AlN/AlScN材料综合解决方案服务商，日前推出了新一代面向深紫外光电器件的高透过率AlN单晶衬底。第三方检测表明，该衬 底的深紫外透过率在远紫外（Far-...
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动态 ｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型 MOSHFET功率器件最新进展
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。
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动态 | “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重大专项启动会在京召开
2023年4月6日，奥趋光电技术（杭州）有限公司（以下简称“奥趋光电”）参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项项目—— “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）” （...
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动态 | 奥趋光电发布5G射频前端FBAR/BAW/SAW滤波及功率器件用高质量准单晶铝钪氮（Al₀.₅₆Sc₀.₄₄N）薄膜产品
奥趋光电技术（杭州）有限公司（简称：奥趋光电）是一家全球领先的氮化铝晶体材料解决方案供应商。奥趋光电在SEMICON China 2021举办的“2021 年功率与化合物半导体国际论坛”推出了采...
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动态 | 奥趋光电应邀访问沙特阿卜杜拉国王科技大学
阿卜杜拉国王科技大学（King Abdullah University of Science & Technology，以下简称KAUST）作为一所沙特王室重点打造的专攻理工领域的国际化、研究型大学，...
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动态 | 奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶晶体
奥趋光电于近期成功实现了AlN晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图二）。此3英寸AlN单晶锭及衬底样片的成功制备被认为是4英...
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