Industry news
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行业 | 康乃尔大学和日本化工巨头旭化成首次在N极性单晶AlN衬底上实现GaN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管(HEMT)
氮化镓的宽带隙和高电子速度使其在商业和国防毫米波应用中极具吸引力。如今，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）能够在毫米波频率下提供高功率，从而抵消这些频率下高大气衰减的影响。然而，基于GaN...
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行业 | 美国基于AlN单晶实现创纪录击穿场强（~11.5 MV/cm）的高电子迁移率晶体管
具有1.3 μm间距的两端台面击穿特性显示出未掺杂Al0.6Ga0.4N沟道层的创纪录的高击穿场强约为11.5 MV/cm。对于栅漏距离为4 μm和9 μm的三端器件，测量的击穿电压分别为850 V和...
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行业 | 南卡罗来纳大学基于AlN单晶衬底实现Al0.64Ga0.36N沟道型MOSHFET器件创记录BFOM优值
我们在AlN单晶衬底上采用MOCVD工艺实现了Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）。与AlN模板上的器件相比，AlN单晶上器件的热...
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行业 | 清华大学曹炳阳教授团队提出三传感器2ω新方法实现AlN单晶衬底热导率测试
各向异性热传输在热传导理论和工程实践中起着关键作用，而准确测量固体材料的各向异性热导率是一个重大挑战。现有的实验技术包括光学方法和电学方法，但它们存在局限性，如对表面结构热物理性质的敏感性和依赖于多变...
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行业 | AlN掺杂技术及其在功率电子与光电领域应用展望
新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3，电阻率为0.045...
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行业 | 康乃尔大学在AlN单晶衬底上实现理想因子达1.63的p型AlGaN层及超宽禁带异质结 p-n结二极管
本文展示了在AlN单晶衬底上，利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V，室温下最小理想因子为η≈1...
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行业 | 挑战极限：SiC/Ga2O3/AlN基功率器件最新进展
在硅的所有替代品中，可以说AlN（氮化铝）具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙，它的临界电场远高于所有竞争对手，这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。
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行业 | 日本化工巨头旭化成基于AlN单晶衬底实现低于230 nm、长寿命mW级Far UVC-LED
我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm（Far-UVC）发光二极管（LED）。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入，在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率（2...
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