行业新闻
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行业 | 瑞典林雪平大学等在AlN单晶衬底上制备出创纪录迁移率、薄沟道AlGaN/GaN/AlN双异质结HEMT器件
本研究开发了一种可控碳掺杂的两步生长工艺，利用热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，成功在AlN单晶衬底上实现了150 nm和50 nm厚GaN沟道层的完全融合生长。所制备的HEMT器件展现出国...
阅读全文.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行业 | 宁波材料所等在GaN/AlN高质量异质外延及其AlN背势垒HEMT器件领域取得进展")
行业 | 宁波材料所等在GaN/AlN高质量异质外延及其AlN背势垒HEMT器件领域取得进展
AlN背势垒高电子迁移率晶体管（HEMTs）通过在AlN背势垒上生长超薄GaN沟道层，在高压、高频应用中展现出巨大潜力。然而，由于GaN与AlN之间存在晶格失配和热失配，需对薄GaN沟道层的生长模式进...
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行业 | 北卡罗纳州立大学基于AlN单晶衬底实现击穿场强达12.3 MV/cm、理想因子低至1.1的创纪录性能AlN SBD器件
本研究通过在硅掺杂氮化铝（Si:AlN）中引入点缺陷和扩展缺陷调控机制，有效抑制了载流子补偿效应，成功实现了300 cm²/(V·s)的高电子迁移率和26 Ω·cm的低电阻率。基于此掺杂技术，我们设计...
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行业 | 北京大学在AlN低温MOCVD Si外延掺杂取得突破性进展
低温掺杂为调控氮化铝（AlN）导电性提供了一种极具潜力的解决方案。作为下一代光电子和电子器件的理想候选材料，AlN的高质量生长通常需要高温工艺，而金属有机化学气相沉积（MOCVD）是目前主流的生长方法...
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行业 | HexaTech推出面向功率/射频器件的N-polar AlN单晶衬底产品
美国HexaTech公司近日宣布推出了基于优化（加工）工艺的N-polar AlN单晶衬底。相较于常规的Al-polar AlN单晶衬底器件外延生长工艺，基于高质量N-polar 表面制备的器件可带来...
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行业 | 全球半导体硅片巨头Siltronic、IKZ等强强联合推进4英寸AIN单晶衬底产业化
半导体领域的三大领军机构——德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）、半导体设备制造商PVA TePla AG与全球半导体硅片巨头世创电子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布开展...
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行业 | 康乃尔大学在AIN单晶衬底成功制备出创纪录性能X-band HEMT器件
氮化铝（AlN）在纤锌矿型III族氮化物半导体体系中具有最大带隙，这一特性使其成为构建场效应晶体管中薄GaN沟道强载流子限制的理想势垒材料，其作用机制类似于绝缘体上硅（SOI）技术。相较于SiO₂/S...
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行业 | 四代半导体材料：引领电子革命的超宽禁带先锋
随着电子信息技术的不断发展，半导体材料也经历了数代更迭。第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础；第二代半导体材料奠定了通信产业的基础；目前以碳化硅、氮化镓为 代表的第三代半导体材料具有耐高压、耐高温等...
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行业 | 西电/北大团队在AlN模板上成功开发出耐压大于8000V的HEMT器件
单晶氮化铝（AlN）模板是氮化镓（GaN）功率高电子迁移率晶体管（HEMTs）的理想候选材料，但目前相关系统性研究仍较为匮乏。本研究成功制备并系统评估了2英寸AlN模板上的高性能GaN HEMTs器件...
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行业 | 佛罗里达大学/宾州州立大学实现超11 kV横向NiO/AlN异质结整流器及8.6 kV肖特基二极管
通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底生长的氮化铝（AlN）外延层上制备出了击穿电压高达11.6 kV的横向NiO/AlN异质结二极管（HJDs）和击穿电压高达8.6 kV的Ni/Au/...
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