Industry news
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行业 | 康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件
GaN的宽带隙特性和高饱和速度对于提升射频（RF）晶体管的输出功率密度（Pout）至关重要，这使得雷达和通信系统的覆盖范围得以增加。然而，目前GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的输出功率密度进一步...
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行业 | 德国研究集群宣布AlN技术取得重大突破
使用这些晶圆制备的首批晶体管已经显示出极具前景的电气性能，例如高达2200 V的击穿电压和优于SiC基/GaN基的功率开关器件的功率密度。与现有的硅器件相比，在AlN晶圆上成功制备出的AlN/GaN ...
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行业 | 康奈尔大学在单晶AlN衬底上实现HEMT器件创纪录高电子迁移率和低片电阻
为了提高量子阱高电子迁移率晶体管（QW HEMTs）中的电子迁移率，我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明，量子阱中高电场引起的界面...
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行业 | 密歇根大学/加州大学采用等离子辅助MBE实现N极性AlN中可控Si掺杂
本文展示了采用等离子辅助分子束外延（PAMBE）技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件，我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而，我们的研...
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行业 | SiC/GaN的强劲对手 — 新一代AlN基晶体管
在过去的十年中，半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经超越了硅，占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用...
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行业 | 美国Crystal IS 4英寸单晶AlN衬底荣获2024年年度半导体电子最高材料奖
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的...
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行业 | 德国在单晶AlN衬底上实现耐压2200 V、功率密度达1.17 GW/cm2的AlN基GaN沟道HEMT器件
我们在AlN衬底上，采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT，在VGS = 1 V时，实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压（V...
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行业 | N极性AlN单晶衬底上AlGaN/AlN异质结极化诱导二维电子气（2DEGs）研究
极化诱导载流子在实现超宽带隙半导体AlGaN的高电导率方面起着重要作用，这对于从射频和功率电子到深紫外光电器件的各种应用至关重要。尽管具有重要的科学和技术意义，但在N极性AlGaN中关于极化诱导载流子...
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行业 | 康乃尔大学和日本化工巨头旭化成首次在N极性单晶AlN衬底上实现GaN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管(HEMT)
氮化镓的宽带隙和高电子速度使其在商业和国防毫米波应用中极具吸引力。如今，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）能够在毫米波频率下提供高功率，从而抵消这些频率下高大气衰减的影响。然而，基于GaN...
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行业 | 美国基于AlN单晶实现创纪录击穿场强（~11.5 MV/cm）的高电子迁移率晶体管
具有1.3 μm间距的两端台面击穿特性显示出未掺杂Al0.6Ga0.4N沟道层的创纪录的高击穿场强约为11.5 MV/cm。对于栅漏距离为4 μm和9 μm的三端器件，测量的击穿电压分别为850 V和...
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