Industry news
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行业 | AlN上的集成电力电子：材料与器件
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归...
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行业 | 康奈尔大学在AlN单晶衬底上实现创纪录的低片电阻及高迁移率XHEMT异质结
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
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行业 | 超宽禁带半导体AlN：一个迅速崛起的III族氮化物市场
氮化铝（AlN）凭借其出色的电学、光学和热学性能，在高性能功率电子、极端环境半导体器件、射频（RF）器件和深紫外（DUV）光电子等应用领域具有极其重要的意义。相比Si、SiC、GaN和β-Ga2O3等...
Read more.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行业 | 超低理想因子、超600 V横向AlN-on-AlN肖特基二极管")
行业 | 超低理想因子、超600 V横向AlN-on-AlN肖特基二极管
本文报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶AlN衬底上成功制备了横向AlN肖特基势垒二极管（SBDs），该二极管具有η=1.65的超低理想因子，击穿电压（BV）高达640V，并且按照阳...
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行业 | 亚利桑那州立大学在单晶AlN衬底上实现kV级AlN基MESFETs
本文展示了基于单晶AlN衬底的高压AlN基金属-半导体场效应晶体管（MESFETs）及其电学特性表征。相较于采用异质衬底的AlN基MESFETs，本研究所开发的AlN-on-AlN基MESFETs在1...
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行业 | 沙特国王科技大学成功制备出全球首款纯AlN基MOSFET晶体管
氮化铝（AlN）是一种超宽带隙且极具前途的半导体材料，由于其高击穿电压、迁移率和热导率，它在电力电子和光电子应用方面具有显著优势。AlN基肖特基势垒二极管（SBD）和金属半导体场效应晶体管（MOSFE...
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行业 | 北卡罗纳州大学开发出低理想因子、创纪录电流密度AlN单晶基SBD
本文报道了具有低理想因子（ 5 kA cm−2）以及高击穿电压（680 V）的氮化铝（AlN）肖特基势垒二极管。该器件结构由两层准垂直设计组成，包括一层轻掺杂的AlN漂移层和一层在AlN衬底上生长的高...
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行业 | Hexatech获美国国防部1020万美元的4英寸AlN单晶衬底开发合同
HexaTech公司宣布与美国国防部国防高级研究计划局（DARPA）签署了一项为期多年的合同，作为该机构最近宣布的超宽带隙半导体（UWBGS）计划的一部分。UWBGS计划的目标是开发实现实用超宽带隙电...
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行业 | 日本旭化成在AlN单晶衬底上实现WPE 2.4%、寿命超过11000小时的Far UVC-LED（231 nm）
本文系统地从实验和模拟分析了AlN单晶衬底上Far UVC-LED的效率和寿命与波长的依赖关系，并观察到效率与发射波长之间存在正相关关系。在波长227 nm、230 nm、233 nm和235 nm下...
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行业 | 阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率
超宽带隙氮化铝（AlN）作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而，AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中，我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工...
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