行业新闻
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行业 | 康乃尔大学在AIN单晶衬底成功制备出创纪录性能X-band HEMT器件
氮化铝（AlN）在纤锌矿型III族氮化物半导体体系中具有最大带隙，这一特性使其成为构建场效应晶体管中薄GaN沟道强载流子限制的理想势垒材料，其作用机制类似于绝缘体上硅（SOI）技术。相较于SiO₂/S...
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行业 | 四代半导体材料：引领电子革命的超宽禁带先锋
随着电子信息技术的不断发展，半导体材料也经历了数代更迭。第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础；第二代半导体材料奠定了通信产业的基础；目前以碳化硅、氮化镓为 代表的第三代半导体材料具有耐高压、耐高温等...
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行业 | 西电/北大团队在AlN模板上成功开发出耐压大于8000V的HEMT器件
单晶氮化铝（AlN）模板是氮化镓（GaN）功率高电子迁移率晶体管（HEMTs）的理想候选材料，但目前相关系统性研究仍较为匮乏。本研究成功制备并系统评估了2英寸AlN模板上的高性能GaN HEMTs器件...
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行业 | 佛罗里达大学/宾州州立大学实现超11 kV横向NiO/AlN异质结整流器及8.6 kV肖特基二极管
通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底生长的氮化铝（AlN）外延层上制备出了击穿电压高达11.6 kV的横向NiO/AlN异质结二极管（HJDs）和击穿电压高达8.6 kV的Ni/Au/...
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行业 | 天野浩和旭化成团队在AlN单晶衬底上实现击穿电压超2.3 kV HEMT器件
本文采用金属有机气相外延法（MOVPE）在氮化铝（AlN）单晶衬底上生长了AlN/GaN赝晶结构，并研究了AlN/GaN界面处二维电子气（2DEG）的霍尔效应特性及基于该结构的HEMT器件性能。
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行业 | 美国/日本联合团队首次实现N极性AlN单晶衬底基HEMT器件
生长于氮化铝（AlN）单晶衬底之上的N极性AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频性能表现与热管理效能方面呈现出极为可观的应用潜力。
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行业 | 100 mm AlN单晶生长技术及其衬底制备工艺
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系...
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行业 | 基于AlN单晶衬底的量子阱超宽带隙AlGaN HEMT
本研究报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶氮化铝（AlN）衬底上制备的超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N量子阱沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件的顶部和底部势垒层均采用A...
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