紫外LED——市场爆发的前夜

      根据水俣公约，2020年全球128个缔约国将全面禁止传统紫外汞灯的使用。而基于AlN衬底的UVC-LED是目前替代汞激发紫外光源的唯一固态光源解决方案，其优点包括（1）高效：物理杀菌，不受化学平衡条件影响，单位面积的光强超过汞灯的1000倍以上；（2）环保：ALN材料无毒无害，紫外LED及其封装工艺也不含任何有毒物质；（3）节能：低压、无预热时间，无热辐射，同等输出功率下，耗电量仅为汞灯的10%，维护成本几乎为0；（4）可靠：使用寿命20000小时以上，是传统汞灯的10倍，且使用寿命几乎不受开关次数影响。

      据业内人士预测，全球仅深紫外LED杀菌消毒应用领域的潜在市场规模已超过5000亿美元，此外深紫外LED在生物医疗、药物研发、防伪鉴定、空气净化、高密度存储、紫外激光、军事（紫外探测、紫外保密通信）等方面均有广泛应用。知名咨询机构Yole Development的研究分析表明：UV-LED领域2012-2018年复合增长超过43%；UVC-LED市场未来5年规模增长100-250倍。 

因此，紫外LED已成为业内厂商争相关注的下一个“新蓝海”市场，市场当前正处于爆发的前夜，而爆发的瓶颈则在于上游氮化铝衬底材料端。目前全球仅有两家企业有能力小批量制造1英寸/1.5英寸/2英寸衬底材料，售价极其昂贵，超过黄金的60-100倍。即将引爆的对AlN晶圆材料的巨大需求与材料本身的高技术壁垒、高制造/采购成本和低供应量形成了巨大矛盾。

      奥趋光电自主设计并掌握了具备完整知识产权的第三代宽禁带半导体大尺寸氮化铝晶圆衬底材料的全套制程工艺与技术，并同时研发了全自动关键设备、工艺、生产全流程和标准，从而具备了高质量大尺寸氮化铝晶圆衬底材料的批量生产条件，成为了推动市场爆发的关键上游衬底材料供应商和技术开发商。

5G通信——广阔的“新蓝海”市场

      5G时代是高频的时代，频段数目将越来越多。就目前技术而言，5G智能手机单机的射频滤波器需求至少约为72-75个，相比4G手机单机用量提升至少约为80%，市场空间增量需求巨大。据QYR Electronics Research Center统计，2011-2018年全球射频滤波器市场规模从21.1亿美元增长至83.61亿美元，占比射频前端行业整体约56%，预计至2023年市场规模将达219.1亿美元，年复合增速高达21.2%。

      我国是全球最大的SAW滤波器消费市场，2018年市场规模达到154.8亿元，同比增长4.97%，消费量为151.2亿只，但产量仅为5.04亿只。5G浪潮下，预计到2025年中国SAW滤波器产量可以达到28.02亿只，消费量超过155亿只。

      制备高频滤波器的关键在于制备材料的压电特性，AlN薄膜材料由于压电特性好，声速高，同时AlN SAW器件具有良好的化学和热稳定性，以及对外界压力、温度、应力、气体等极高的灵敏性，因而已经得到成熟运用，并实现商品化，同时AlN薄膜也是BAW滤波器的理想压电材料之一。 随着5G时代的到来，奥趋光电独有的高质量AlN薄膜模板大批量制造技术也已迎来崭新的应用领域和广阔的市场空间。

MEMS传感器——构建“物联网” 的基础技术

      根据麦姆斯咨询预测，MEMS市场将在2019年至2024年期间实现显著增长：市场营收的复合年增长率约为8.3%，预计2024年将达到185亿美元，出货量的复合年增长率约为11.9% 。

      MEMS传感器的应用涉及通信/移动设备、智能手机、可穿戴/植入式设备、医疗器械等诸多领域。在“物联网”时代，无论是人工智能、智慧城市、工业机器人还是智能家居，通讯技术只解决了IP地址分配和联网，应用场景的构建，智能设备及硬件与使用场景的交互，必须通过传感器来实现。因此，传感器是在物联网时代构建万物互联的基础技术。

      AlN的压电特性与MEMS技术的融合，即将在物联网时代为AlN材料开辟广大的新兴应用领域。Bosch Sensortec（博世，全球汽车和消费电子领域的MEMS领导者）高级副总裁Udo-Martin Gomez博士认为：“压电传感应用中的首选材料是AlN，除CMOS兼容性和易于集成之外，AlN主要优点是低介电常数和介电损耗”，AlN MEMS器件可以在小型设备上实现高分辨率超声成像。