2025年5月15-16日,由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办,杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术(杭州)有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行,近400人国内外专业人员报名参会。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国电子科技集团第十三研究所冯志红首席科学家、中山大学王钢教授、九峰山实验室魏强民首席专家、郑州大学单崇新教授、哈尔滨工业大学朱嘉琦教授、西安交通大学王宏兴教授、奥趋光电创始人吴亮博士、南京大学叶建东教授等专家出席会议并作大会报告。
2025年第四代半导体技术研讨会开幕式
奥趋光电技术(杭州)有限公司作为会议承办方之一,同时也是具备第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的行业领军企业,由公司创始人、首席执行官吴亮博士代表出席会议并作大会报告,同时在现场设展。
本届会议设氧化镓、金刚石、氮化铝三个分论坛,与会专家围绕第四代半导体晶体生长与加工、薄膜及其外延技术、功率及光电器件、相关设备等进行了深入研讨,并就行业前沿动态和重点、热点问题展开了广泛交流。其中氮化铝分论坛由奥趋光电吴亮博士召集并和北京大学于彤军教授共同主持,中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所解楠副主任、深圳大学武红磊教授、北京化工大学张纪才教授、北京大学于彤军教授、大连理工大学梁红伟教授、中国电子科技集团第四十六研究所程红娟研究员、山东大学张雷教授、沙特阿卜杜勒国王科技大学李晓航教授等专家学者发表特邀报告。
本届第四代半导体技术研讨会对氮化铝、氧化镓、金刚石等材料、器件制备技术及其应用的最新进展和面临的挑战进行了全面系统地总结,为超宽禁带半导体各领域的技术攻关和产业布局指明了方向,将引领产学研用协同和产业链融合,推动我国第四代半导体行业的技术进步和产业化进程。
关于第四代半导体技术研讨会
在半导体领域中,材料创新关乎着半导体器件的性能突破和提升。目前,第三代半导体材料(例如碳化硅、氮化镓等)已经深入发展并得到广泛应用,而以氧化镓、金刚石和氮化铝等为代表的第四代半导体材料也在逐步崭露头角,呈现初蓬勃发展态势。相比第三代半导体材料,第四代半导体禁带宽度更大,具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性,为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能,在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。不过,因优异性能和广阔市场发展前景备受瞩目的第四代半导体发展面临的挑战也不少,比如大尺寸单晶制备难、成本高、工艺复杂、与现有半导体材料工艺的兼容等都是亟待解决问题。面对如此半导体发展机遇,国内外科研机构和企业都在加大对第四代半导体材料的研发力度。
其中杭州镓仁半导体通过对自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行迭代优化升级,采用垂直布里奇曼(VB)法成功生长出了4英寸氧化镓单晶。这是国内首次在该项技术上实现新的突破,令人瞩目。不仅如此,该型VB法氧化镓长晶设备及工艺包也已经全面开放销售,无形之中提速了第四代半导体材料的商业化应用进程。在氮化铝单晶衬底方面,美国Crystal IS(旭化成全资子公司)相继成功开发出3英寸、4英寸单晶衬底样片,国际上各类高性能氮化铝单晶基射频/功率器件与激光器件快速发展,国内奥趋光电技术(杭州)有限公司也分别成功开发出3英寸氮化铝单晶、超高深紫外光透过率2英寸单晶衬底,为其商业化及未来规模化应用奠定了良好基础。国际视野之下,全球范围的“半导体材料竞赛”已然开始,对国家核心竞争力以及国民基础性产业都有深远意义,锚定其产业化的先发时机至关重要。
为促进我国第四代半导体学术、技术的交流合作和产业发展,浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线、杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术(杭州)有限公司和宁波晶钻科技股份有限公司共同组织召开了本届第四代半导体技术研讨会,旨在汇集全国高校、科研机构、企业和政府部门的本领域专业人士,开展广泛交流和深入探讨,共同推动我国第四代半导体材料和相关器件的技术突破和产业化进程。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入,于2019年成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片,奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年12月,共申请/授权国际、国内专利60余项,是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一,被公认为本领域全球技术的领导者。
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