通知 | 第四届全国宽禁带半导体学术会议定于11月7-10日举办,奥趋光电邀您共聚厦门

2021-10-18 管理员


接组委会通知:根据福建省厦门市政府防疫工作要求,鉴于当前厦门市全域均为低风险区域,经会议组织委员会研究决定,原定于2021年10月12-15日在厦门市举办的“第四届全国宽禁带半导体学术会议”延期至2021年11月7-10日召开,地点不变(厦门海悦山庄酒店)。

接组委会通知:根据福建省厦门市政府防疫工作要求,鉴于当前厦门市全域均为低风险区域,经会议组织委员会研究决定,原定于2021年10月12-15日在厦门市举办的“第四届全国宽禁带半导体学术会议”延期至2021年11月7-10日召开,地点不变(厦门海悦山庄酒店)。

本届全国宽禁带半导体学术会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办,厦门大学、南京大学承办。在当前新冠疫情常态化防控的背景下,组委会严格并充分地做好了疫情防控准备和会议各项筹备,将与国内宽禁带半导体领域学术界、产业界一道,共同打造一场学术氛围浓、专业性强、影响范围广的高水平学术盛会!

 

 

 

                                               

 

奥趋光电技术(杭州)有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体氮化铝单晶衬底全套制程能力和批量制造能力的领先技术企业之一,同时也是开发出2-6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、铝钪氮薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等完整工艺解决方案的专业技术服务商,受组委会特别邀请将出席本次学术会议,公司CEO吴亮博士将于会发表题为“PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究”的邀请报告,分享氮化铝晶体生长、单晶衬底制备及相关工艺技术和设备开发领域的最新进展。

 

今年6月,奥趋光电发布了新一代超宽禁带半导体高端材料——高质量氮化铝单晶衬底系列产品,Φ30mm及以下尺寸氮化铝晶圆正式发售,同时公布了2英寸产品的小批量量产计划。9月,2英寸(Φ50.8mm)氮化铝单晶衬底也如约而至,现已正式发布。本次全国宽禁带半导体学术会议期间,奥趋光电将在现场设展,向与会嘉宾汇报展示面向功率器件、5G射频滤波器件、MEMS、深紫外LED、紫外激光、紫外探测/紫外预警等领域应用的各系列产品,包括2英寸及以下各尺寸AlN单晶衬底产品、2/4/6英寸硅基/蓝宝石基AlN/AlScN薄膜产品等。同时,奥趋光电展位将限量发售部分规格氮化铝单晶衬底现货,现场亦可接受全系产品预定。

 

 

图1  直径26mm、36mm, 45mm及57mm左右AlN单晶锭

 

图2  奥趋光电各尺寸高质量AlN单晶衬底

 

图3  奥趋光电高质量氮化铝单晶衬底系列产品

 

图4 奥趋光电硅基/蓝宝石基AlN/AlScN薄膜系列产品

 

为助力本次全国宽禁带半导体学术会议,奥趋光电已于10月1日开启除长晶/热处理设备外全系列产品的优惠大促活动。优惠涵盖AlN单晶衬底全系列产品、硅基/蓝宝石基AlN/AlScN薄膜产品等,原计划于10月15日(原定会议结束时间)结束优惠活动。鉴于本次会议延期至11月7-10日召开,经公司研究决定,本次产品优惠活动结束时间相应延后至11月10日!

 

现在分享转发本文至个人微信朋友圈(请保留截图),并于11月10日之前通过以下渠道下单采购,或在大会期间在奥趋光电展位现场购买/预定,即享8折优惠!特别提示:对中国所有氮化铝单晶衬底用户而言,奧趋光电是目前全球该材料唯一供应商,本次优惠数量有限,机不可失!

 

 

奥趋光电产品销售渠道

 

1. 通过奥趋光电销售热线:0571-88662725、17367078872(孙先生)、18069846900(陈先生)洽谈采购;

 

2. 或登录奥趋光电官网:www.utrendtech.com,线上了解产品详情,在线下单采购;

 

3. 或扫描下方小程序码,进入奥趋光电微商城,移动端下单采购。

 

 

因抢购火爆,部分规格AlN单晶衬底需提前预定,奥趋光电将根据订单款到顺序尽快发货。

 

 

本届全国宽禁带半导体学术会议将以“芯动力·新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题,由厦门大学校长张荣教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长共同担任大会主席。同时邀请了强大的顾问委员会、程序委员会、组织委员会专家团,其中科学技术部原副部长曹健林,中国科学院院士、北京大学物理系教授甘子钊,中国科学院院士、南京大学教授郑有炓共同担任大会名誉主席;北京大学理学部副主任沈波教授担任程序委员会主席;中科院半导体所研究员李晋闽,江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长徐科,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长阮军共同担任程序委员会副主席;广东省科学院半导体研究所所长陈志涛;南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌;中科院苏州纳米所张书明教授共同担任组织委员会主席;中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原所长杨辉,北大东莞光电研究院常务副院长、宽禁带半导体中心主任张国义担任大会副主席;厦门大学教授康俊勇担任大会执行主席。大会顾问委员会专家、中科院院士、 南昌大学副校长江风益教授将出席会议,并作大会报告。

 

国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表们,将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料物性和表征技术、光电子器件及其应用、电子器件及其应用、新型宽禁带材料与器件等关键核心议题开展广泛交流,促进产学研用的交流合作以及产业链的协同共进。此次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到强有力的推动作用。

 

 

117-10日,定位福建厦门,第四届全国宽禁带半导体学术会议,奥趋光电期待与您相聚!

 

会议地点:厦门海悦山庄酒店(福建省厦门市思明区环岛南路3999号)

 

大会网址:http://www.wbsc.org.cn

 

温馨提醒:目前厦门市全域均为低风险区,进出厦门无需核酸检测证明,体温无异常者持绿色健康码和通信大数据行程卡即可。

 

 

关于全国宽禁带半导体学术会议

 

近年来,宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一,国际半导体及材料领域研究和发展的热点,基于宽禁带半导体材料,半导体照明已经形成巨大规模的产业,并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展,加强各界交流与协同创新,2015年10月,中国电子学会电子材料学分会发起并主办了首届全国宽禁带半导体学术会议。自第二届开始,会议更新为由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会两家单位共同主办。

 

随着大会规模和影响力的不断增强,今年,“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第四届,原定于2021年10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办,受疫情影响延期至2021年11月7-10日,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办,厦门大学、南京大学承办。

 

以“芯动力·新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题,会专家们将针对宽禁带半导体材料生长与表征、光电子材料和器件、功率电子和射频电子器件、新型宽禁带半导体材料及应用等关键议题开展广泛的技术交流与合作洽谈,推动我国宽禁带半导体材料与器件的技术进步和产业发展。

 

 

关于奥趋光电

 

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

 

奥趋光电经过多年的高强度研发投入,成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供1英寸/2英寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2021年9月,共申请/授权国际、国内专利50余项,是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一,被公认为本领域全球技术的领导者。