行业新闻
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行业 | 南卡罗来纳大学基于AlN单晶衬底实现Al0.64Ga0.36N沟道型MOSHFET器件创记录BFOM优值
我们在AlN单晶衬底上采用MOCVD工艺实现了Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）。与AlN模板上的器件相比，AlN单晶上器件的热...
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行业 | 清华大学曹炳阳教授团队提出三传感器2ω新方法实现AlN单晶衬底热导率测试
各向异性热传输在热传导理论和工程实践中起着关键作用，而准确测量固体材料的各向异性热导率是一个重大挑战。现有的实验技术包括光学方法和电学方法，但它们存在局限性，如对表面结构热物理性质的敏感性和依赖于多变...
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行业 | AlN掺杂技术及其在功率电子与光电领域应用展望
新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3，电阻率为0.045...
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行业 | 康乃尔大学在AlN单晶衬底上实现理想因子达1.63的p型AlGaN层及超宽禁带异质结 p-n结二极管
本文展示了在AlN单晶衬底上，利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V，室温下最小理想因子为η≈1...
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行业 | 挑战极限：SiC/Ga2O3/AlN基功率器件最新进展
在硅的所有替代品中，可以说AlN（氮化铝）具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙，它的临界电场远高于所有竞争对手，这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。
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行业 | 日本化工巨头旭化成基于AlN单晶衬底实现低于230 nm、长寿命mW级Far UVC-LED
我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm（Far-UVC）发光二极管（LED）。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入，在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率（2...
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行业 | 法国基于单晶AlN实现高可靠性Al0.23Ga0.77N沟道型HEFT耐高压电子器件
AlxGa1-xN异质结场效应晶体管（HFET）一直是高压电力电子器件领域的研究焦点，凭借其可以通过改变铝组分实现可调节的高临界击穿场强，从而具备了超越前代产品的潜力。在这项工作中，我们展示了在体Al...
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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件（一）
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在国防（雷达、SATCOM）和商业（5G 等）领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段，标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此，我们建议转向氮化铝（Al...
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